一：甘肅高溫高壓閥門技術百科問題1：最新閥門品牌國內排名答：公司研發(fā)生產的閘閥、截止閥、止回閥、球閥、蝶閥、疏水閥、水力控制閥、低溫閥、高溫高壓非標閥等形成了518個系列，近4000個規(guī)格品種。各類產品以一流的質量、周到的服務，使公司持續(xù)穩(wěn)
一：
晶振電容貼片技術百科
問題1：晶振必須接瓷片電容嗎?
答：必須要接電容的，否則無法構成諧振回路，對于單片機系統(tǒng)而言10MHz晶振配合15-33p都可以正常使用。
問題2：晶振的負載電容對晶振頻點的大小有什么影響
晶振電容貼片答：原有電路使用的是33pF的兩個電容，則并聯(lián)起來是165pF，我們的貼片電容只有27pF,33pF，39pF,所以我們選用了27pF和39pF并聯(lián)，則電容為1595pF。電容焊好后，測量比原來大了200多赫茲，落在了設計范圍內。結論：晶振。
問題3：電容是放在晶振前面好還是后面好
答：在晶振應用中，幾乎所有的線路設計都會有晶振外接電容，晶振兩個腳的同一線路上焊接電容，線路的設計和到晶振的匹配電容不等，石英晶振DIP插件系列一般的常規(guī)16pf~22pf,貼片晶振的相對應負載電容比較低，一般是7pf~16pf（1。
問題4：想自己焊個電路,不知道晶振應該怎么接進去
答：二、貼片晶振的自動焊接方法采用自動焊接方法時，需要注意以下幾點：1、一般情況下烙鐵頭溫度控制在300℃左右，熱風槍控制在200℃～400℃；其次，焊接時不允許直接加熱貼片晶振引腳的腳跟以上部位，以免損壞晶振內部電容;2。
問題5：四腳貼片晶振具體應該怎么與芯片連接呢?在原理圖或pcb中具體每個腳應
答：1,3腳與芯片連接就可以了。為了匹配負載，可以在1，3腳再分別連接匹配的負載電容到地就可以了。
問題6：焊接晶振應該注意什么
答：1，一般情況下烙鐵頭溫度控制在300℃左右，熱風槍控制在200℃～400℃；2，焊接時不允許直接加熱貼片晶振引腳的腳跟以上部位，以免損壞晶振內部電容；3，需要使用∮03mm～∮05mm的焊錫絲；烙鐵頭始終保持光滑，無鉤、無刺。
問題7：51單片機晶振上接的電容大小該如何選擇
答：5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及110592M和20M24M都用的30P，單片機內部有相應的整形電路。在規(guī)定的時間內，由于規(guī)定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱。
問題8：為什么晶振兩端要外接兩個電容呢
答：這兩個電容叫晶振的負載電容，分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮發(fā)。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，也是使振蕩頻率更穩(wěn)定。實際上就是電容三點式電路的分壓電容,接地點就是分壓點。以接地點。
問題9：一般的電路里晶振旁邊都接了兩個電容,是起什么作用的求解答
答：電路其實是個電容三點式振蕩電路，輸出是正玄波晶體等效于電感，加兩個槽路分壓電容，輸入端的電容越小，正反饋量越大。負載電容每個晶振都會有的參數，例如穩(wěn)定度是多少PPM，部分人會稱之為頻差，單位都是PPM，負載。
問題10：電容,晶體,晶振,電感叫做什么,有什么用
答：您好，電容、晶體、晶振和電感都屬于電子元器件類，都是如今使用比較廣泛的電子零件。電容：電容器的簡稱，是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直、耦合、旁路、濾波、調諧回路、能量轉換、控制電路等方面。石英。
二：
晶振電容貼片技術資料
問題1：貼片電容有什么品牌
晶振電容貼片答：日本村田公司作為世界五百強的公司是世界上少數幾家能夠生產飛機，火箭，衛(wèi)星等高端電子元器件的廠商，其生產的電子元器件廣泛應用于電子通訊的各個方面，生產的產品有，電容，電阻，電感，射頻頭，濾波器，晶振，傳感器等。
問題2：晶振要配多大的電容比較合適?
晶振電容貼片答：晶振在電路中使用時,應滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書中晶振的負載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設計,元器件分布等因素有關,值不確定,一般為3到5PF所以。
問題3：請問單片機晶振電路中兩個電容的作用是什么?
答：負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振。
問題4：晶振怎么配電容
答：可以使用的~請放心~頻率由晶振決定~15P可以的~但是注意不能相差太大或太小·~差大或者小穩(wěn)定性不好了~祝成功。
問題5：如何選擇合適的單片機晶振電容
晶振電容貼片答：當然晶振的電容也是按照不同的晶振類型所制造的，這是理所當然的。下面是晶振的電容選擇方法，一定要仔細看哦：晶振電容選擇的幾大標準（1）：在容許范圍內，C1,C2值越低越好。（2）C值偏大雖有利于振蕩器的安穩(wěn)，但將。
問題6：晶振電容作用是什么?
答：CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于18mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為22mA。陶瓷。
問題7：晶振要配多大的電容比較合適?
答：晶振在電路中使用時,應滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書中晶振的負載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設計,元器件分布等因素有關,值不確定,一般為3到5PF所以。
問題8：晶振旁邊接的是什么電容,起什么作用
答：晶振負載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負載電容參與電路振蕩，肯定會對頻率多少起到微調作用。負載電容值越小，振蕩電路就會反而越高。
問題9：51單片機晶振上接的電容如何選擇
答：=Cg也是可以的，Cd、Cg稱作匹配電容或外接電容，其作用就是調節(jié)負載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是Cd、Cg串聯(lián)后的總電容值（Cd*Cg/(Cd+Cg)）才是有效的負載電容部分，假設Cd==Cg==30pF，那么Cd、Cg對。
問題10：晶振要配多大電容?
晶振電容貼片答：應滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書中晶振的負載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設計,元器件分布等因素有關,值不確定,一般為3到5PF所以根據以上公式就可以。
三 ：
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